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石金科技告訴你哪些因素影響管式PECVD 鍍膜的均勻性

發(fā)布時(shí)間:2020-01-09 點(diǎn)擊次數:5518

經(jīng)過(guò)專(zhuān)業(yè)人員從鍍膜工藝參數設定、硅片制絨面反射率及石墨舟狀態(tài)3 個(gè)方面對管式PECVD 鍍膜均勻性進(jìn)行了研究,結果表明:


      1) 鍍膜過(guò)程中適當降低腔體外層壓力,增加內層氮硅比,降低射頻功率對片內或片間均勻性有所改善。實(shí)驗過(guò)程中,在保證良率的情況下,選擇外層壓力為1700 mTorr、內層氮硅比為4.487、射頻功率為7600 W 時(shí),調節DLV 優(yōu)化石墨舟各區溫度且定期清理腔體內部碎片可改善鍍膜均勻性。


      2) 在一定范圍內,制絨面反射率增加,膜厚增大,片內均勻性更優(yōu)。


      3) 新石墨舟鍍膜均勻性明顯優(yōu)于舊石墨舟;在新石墨舟使用周期內,運行30 次時(shí)片間均勻性達到最優(yōu)。

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